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RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過程中的快速熱處理工藝工作。
主要具備以下特點(diǎn)：
1、更短的工藝時(shí)間；
2、更快的升、降溫速率；
3、處理基片時(shí)雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)zui小；
4、減少顆粒沾污；
5、由于腔體體積不大，氣氛純度容易控制.
RTP快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對(duì)氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會(huì)帶來另一個(gè)問題，生長(zhǎng)溫度的降低會(huì)導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù)：
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產(chǎn)品名稱 |
RTP快速退火爐【管式】 |
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產(chǎn)品型號(hào) |
CY-RTP1200-T6-H |
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有效尺寸 |
Φ150mm |
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基片尺寸 |
≦6英寸 |
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升溫速率 |
B型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≦200℃/S,供電要求:AC380V/60Hz，功率18KW |
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降溫速率 |
200℃以上≤25min |
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控溫模式 |
可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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工作溫度 |
≦1000℃ |
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測(cè)溫位置 |
測(cè)溫點(diǎn)置于樣品處 |
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密封法蘭 |
水冷式 |
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工作真空 |
10-3Pa～105Pa均可 |
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可通氣氛 |
可通：氮?dú)猓瑲鍤猓鯕獾确俏ｋU(xiǎn)、非腐蝕氣體 |
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真空測(cè)量 |
標(biāo)準(zhǔn)配置：電阻規(guī)，量程1Pa～105Pa |
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選裝配置：復(fù)合真空計(jì)，量程10-5Pa～105Pa |
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真空系統(tǒng) |
標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD-4真空泵1臺(tái) |
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供電要求 |
要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC380V/60Hz |
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水冷機(jī)組 |
水箱容量9L，zui大揚(yáng)程10m |
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整機(jī)尺寸 |
1200mm x 610mm x 570mm |
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包裝尺寸 |
1475*700*800 |
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包裝重量 |
180Kg |
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隨機(jī)配件 |
1、說明書1本 |
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2、隨機(jī)配件1套 |
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3、配件清單1份 |
